Πολυ-προϊόντα Intergrate, πλήρης σκηνική υπηρεσία,
Υψηλός - ποιοτικός έλεγχος, fullfillment απαίτησης πελατών

Πωλήσεις & Υποστήριξη
Ζητήστε ένα απόσπασμα - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Σπίτι
Προϊόντα
Περίπου εμείς
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
Μας ελάτε σε επαφή με
Ζητήστε ένα απόσπασμα

Categories: Όλες οι κατηγορίες

Ηλεκτρονικό τμήμα κρυστάλλου

Ηλεκτρονικές δίοδοι και κρυσταλλολυχνίες

Μονάδα MCU μικροελεγκτών

Αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης

Συνδετήρας πινάκων PCB

Ολοκληρωμένο κύκλωμα SMD

Ψηφιακή ηλεκτρονική ενότητα

MOSFET υψηλής δύναμης

Οδηγήσεις οπτικοηλεκτρονικής

Παθητικά ηλεκτρονικά συστατικά

Εύκαμπτο τυπωμένο κύκλωμα Fpc

Υπηρεσία συνελεύσεων PCB

Ηλεκτρονικός πίνακας ψηφιακής επίδειξης

Ηλεκτρονόμος δύναμης σημάτων

Διακόπτης ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ SMD

Εργαλεία υπεύθυνων για την ανάπτυξη

UL καλώδιο καλωδίων

Αισθητήρες ηλεκτρονικών συστατικών

συνελεύσεις δαχτυλιδιών ολίσθησης

Αρχική Σελίδα Προϊόντα

MOSFET υψηλής δύναμης

Όλα τα Προϊόντα

Ηλεκτρονικό τμήμα κρυστάλλου (67)

Ηλεκτρονικές δίοδοι και κρυσταλλολυχνίες (26)

Μονάδα MCU μικροελεγκτών (33)

Αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης (20)

Συνδετήρας πινάκων PCB (21)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα SMD (159)

Ψηφιακή ηλεκτρονική ενότητα (6)

MOSFET υψηλής δύναμης (2119)

Οδηγήσεις οπτικοηλεκτρονικής (21)

Παθητικά ηλεκτρονικά συστατικά (21)

Εύκαμπτο τυπωμένο κύκλωμα Fpc (6)

Υπηρεσία συνελεύσεων PCB (2)

Ηλεκτρονικός πίνακας ψηφιακής επίδειξης (6)

Ηλεκτρονόμος δύναμης σημάτων (12)

Διακόπτης ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ SMD (25)

Εργαλεία υπεύθυνων για την ανάπτυξη (6)

UL καλώδιο καλωδίων (2)

Αισθητήρες ηλεκτρονικών συστατικών (20)

συνελεύσεις δαχτυλιδιών ολίσθησης (13)

Είμαι Online Chat Now

ITS4200SSJDXUMA1 ολοκληρωμένα κυκλώματα SW 1 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων σε 1 ΈΞΩ 6V στην 8-καρφίτσα DSO T/R 52V 1.2A

IRLML6402TRPBF MOSFET π-CH υψηλής δύναμης Si 20V 3.7A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

Mosfet Π CH IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET ν-CH υψηλής δύναμης Si 30V 1.2A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

MOSFET Ν δύναμης Infineon IRFP4368PbF σωλήνας καρφιτσών -247AC Si 75V 350A 3 καναλιών

1 2 3 4 5

MOSFET υψηλής δύναμης

(2119)

MOSFET NVBGS1D2N08H υψηλής δύναμης MOSFET δύναμης, 80 Β, 1,2 mΩ, 353 Α, ενιαίο N−Channel
Επικοινωνία

MOSFET NVBGS1D2N08H υψηλής δύναμης MOSFET δύναμης, 80 Β, 1,2 mΩ, 353 Α, ενιαίο N−Channel [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET NVBG160N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 160 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET υψηλής ισχύος NVBG160N120SC1 Καρβίδιο πυριτίου MOSFET N‐Channel 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L [Whο είμαστε?] Η Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd εστιάζει στην προμήθεια ημιαγωγών και στην πώληση ηλεκτρονι... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET υψηλής ισχύος NVBG080N120SC1 Καρβίδιο πυριτίου MOSFET N‐Channel 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG080N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 80 mΩ D2PAK−7L [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET NVBG060N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET καρβιδίου του πυριτίου, κανάλι Ν ‐, 900 Β, 60 mΩ, D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG060N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET καρβιδίου του πυριτίου, κανάλι Ν ‐, 900 Β, 60 mΩ, D2PAK−7L [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και τ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET NVBG020N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 20 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG020N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 20 mΩ D2PAK−7L [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET NVBG020N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 900V 20 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG020N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 900V 20 mΩ D2PAK−7L [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET NVBG015N065SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 650V 12 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG015N065SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 650V 12 mΩ D2PAK−7L [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:59:40

MOSFET NVMFD5C478N υψηλής δύναμης διπλό N-Channel MOSFET 40 Β 27 Α 17,0 mΩ δύναμης
Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C478N υψηλής δύναμης διπλό N-Channel MOSFET 40 Β 27 Α 17,0 mΩ δύναμης [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:53:24

MOSFET NVMFD5C470NL υψηλής δύναμης Διπλό MOSFET 40V 36A 11.5mΩ δύναμης N−Channel
Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C470NL διπλό N−Channel υψηλής δύναμης MOSFET 40V 36A 11.5mΩ δύναμης [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικών ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:53:24

MOSFET NVMFD5C470N υψηλής δύναμης 40 Β 36 ένα διπλό N-Channel 11,7 mΩ τυποποιημένο επίπεδο
Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C470N 40 Β 36 υψηλής δύναμης ένα διπλό N-Channel 11,7 mΩ τυποποιημένο επίπεδο [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-26 17:53:24

Page 167 of 212|< << 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 >> >|

Περίπου εμείς

Περίπου εμείς

Γύρος εργοστασίων

Ποιοτικός έλεγχος

Ολοκληρωμένο κύκλωμα SMD

CC2541F256RHAR ολοκληρωμένο κύκλωμα TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN πομποδεκτών Tj RF

Atmega328p-Au οκτάμπιτος AVR RISC 32KB δίσκος 32-καρφιτσών TQFP λάμψης 2.5V/3.3V/5V ΜΙΚΡΟΤΣΊΠ MCU

TPS92662AQPHPRQ1 η επιφάνεια οδηγών των υψηλών οδηγήσεων φωτεινότητας Tj τοποθετεί την καρφίτσα 48

Αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης

24LC256T-E/SN η αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης EEPROM I2C 256K δάγκωσε 8 την καρφίτσα SOIC Ν T/R

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F λάμψη NAND ΜΙΚΡΟΥ με κινητό LPDDR2 162 σφαίρα MCP

M24M01-RMN6TP 1M-κομμάτι τμηματικός-I2C Stmicro EEPROM αποθήκευσης στοιχείων αστραπιαίας σκέψης

Μονάδα MCU μικροελεγκτών

STM8S003F3P6TR μονάδα οκτάμπιτη STM8 3.3V/5V 20-καρφίτσα TSSOP T/R μικροελεγκτών του ST MCU

MSP430G2211IPW14R μονάδα δεκαεξάμπιτη MSP430 2.5V/3.3V 14-καρφίτσα TSSOP T/R μικροελεγκτών Tj MCU

STM32F030CCT6 μονάδα τριανταδυάμπιτη λάμψη μικροελεγκτών του ST φλοιών M0 RISC 256KB ΒΡΑΧΙΌΝΩΝ MCU

Μας ελάτε σε επαφή με

Μας ελάτε σε επαφή με

Ζητήστε ένα απόσπασμα

E-Mail

Sitemap

Mobile Site

MOSFET υψηλής δύναμης

ITS4200SSJDXUMA1 ολοκληρωμένα κυκλώματα SW 1 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων σε 1 ΈΞΩ 6V στην 8-καρφίτσα DSO T/R 52V 1.2A

IRLML6402TRPBF MOSFET π-CH υψηλής δύναμης Si 20V 3.7A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

Mosfet Π CH IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET ν-CH υψηλής δύναμης Si 30V 1.2A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

MOSFET Ν δύναμης Infineon IRFP4368PbF σωλήνας καρφιτσών -247AC Si 75V 350A 3 καναλιών

MOSFET υψηλής δύναμης

MOSFET NVBGS1D2N08H υψηλής δύναμης MOSFET δύναμης, 80 Β, 1,2 mΩ, 353 Α, ενιαίο N−Channel Επικοινωνία

MOSFET NVBG160N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 160 mΩ D2PAK−7L Επικοινωνία

MOSFET υψηλής ισχύος NVBG080N120SC1 Καρβίδιο πυριτίου MOSFET N‐Channel 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L Επικοινωνία

MOSFET NVBG060N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET καρβιδίου του πυριτίου, κανάλι Ν ‐, 900 Β, 60 mΩ, D2PAK−7L Επικοινωνία

MOSFET NVBG020N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 20 mΩ D2PAK−7L Επικοινωνία

MOSFET NVBG020N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 900V 20 mΩ D2PAK−7L Επικοινωνία

MOSFET NVBG015N065SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 650V 12 mΩ D2PAK−7L Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C478N υψηλής δύναμης διπλό N-Channel MOSFET 40 Β 27 Α 17,0 mΩ δύναμης Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C470NL υψηλής δύναμης Διπλό MOSFET 40V 36A 11.5mΩ δύναμης N−Channel Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C470N υψηλής δύναμης 40 Β 36 ένα διπλό N-Channel 11,7 mΩ τυποποιημένο επίπεδο Επικοινωνία

MOSFET NVBGS1D2N08H υψηλής δύναμης MOSFET δύναμης, 80 Β, 1,2 mΩ, 353 Α, ενιαίο N−Channel
Επικοινωνία

MOSFET NVBG160N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 160 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET υψηλής ισχύος NVBG080N120SC1 Καρβίδιο πυριτίου MOSFET N‐Channel 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG060N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET καρβιδίου του πυριτίου, κανάλι Ν ‐, 900 Β, 60 mΩ, D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG020N120SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 1200 Β 20 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG020N090SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 900V 20 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVBG015N065SC1 υψηλής δύναμης MOSFET Ν ‐ καρβιδίου του πυριτίου κανάλι 650V 12 mΩ D2PAK−7L
Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C478N υψηλής δύναμης διπλό N-Channel MOSFET 40 Β 27 Α 17,0 mΩ δύναμης
Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C470NL υψηλής δύναμης Διπλό MOSFET 40V 36A 11.5mΩ δύναμης N−Channel
Επικοινωνία

MOSFET NVMFD5C470N υψηλής δύναμης 40 Β 36 ένα διπλό N-Channel 11,7 mΩ τυποποιημένο επίπεδο
Επικοινωνία