Πολυ-προϊόντα Intergrate, πλήρης σκηνική υπηρεσία,
Υψηλός - ποιοτικός έλεγχος, fullfillment απαίτησης πελατών

Πωλήσεις & Υποστήριξη
Ζητήστε ένα απόσπασμα - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Σπίτι
Προϊόντα
Περίπου εμείς
Γύρος εργοστασίων
Ποιοτικός έλεγχος
Μας ελάτε σε επαφή με
Ζητήστε ένα απόσπασμα

Categories: Όλες οι κατηγορίες

Ηλεκτρονικό τμήμα κρυστάλλου

Ηλεκτρονικές δίοδοι και κρυσταλλολυχνίες

Μονάδα MCU μικροελεγκτών

Αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης

Συνδετήρας πινάκων PCB

Ολοκληρωμένο κύκλωμα SMD

Ψηφιακή ηλεκτρονική ενότητα

MOSFET υψηλής δύναμης

Οδηγήσεις οπτικοηλεκτρονικής

Παθητικά ηλεκτρονικά συστατικά

Εύκαμπτο τυπωμένο κύκλωμα Fpc

Υπηρεσία συνελεύσεων PCB

Ηλεκτρονικός πίνακας ψηφιακής επίδειξης

Ηλεκτρονόμος δύναμης σημάτων

Διακόπτης ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ SMD

Εργαλεία υπεύθυνων για την ανάπτυξη

UL καλώδιο καλωδίων

Αισθητήρες ηλεκτρονικών συστατικών

συνελεύσεις δαχτυλιδιών ολίσθησης

Αρχική Σελίδα Προϊόντα

MOSFET υψηλής δύναμης

Όλα τα Προϊόντα

Ηλεκτρονικό τμήμα κρυστάλλου (67)

Ηλεκτρονικές δίοδοι και κρυσταλλολυχνίες (26)

Μονάδα MCU μικροελεγκτών (33)

Αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης (20)

Συνδετήρας πινάκων PCB (21)

Ολοκληρωμένο κύκλωμα SMD (159)

Ψηφιακή ηλεκτρονική ενότητα (6)

MOSFET υψηλής δύναμης (2119)

Οδηγήσεις οπτικοηλεκτρονικής (21)

Παθητικά ηλεκτρονικά συστατικά (21)

Εύκαμπτο τυπωμένο κύκλωμα Fpc (6)

Υπηρεσία συνελεύσεων PCB (2)

Ηλεκτρονικός πίνακας ψηφιακής επίδειξης (6)

Ηλεκτρονόμος δύναμης σημάτων (12)

Διακόπτης ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ SMD (25)

Εργαλεία υπεύθυνων για την ανάπτυξη (6)

UL καλώδιο καλωδίων (2)

Αισθητήρες ηλεκτρονικών συστατικών (20)

συνελεύσεις δαχτυλιδιών ολίσθησης (13)

Είμαι Online Chat Now

ITS4200SSJDXUMA1 ολοκληρωμένα κυκλώματα SW 1 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων σε 1 ΈΞΩ 6V στην 8-καρφίτσα DSO T/R 52V 1.2A

IRLML6402TRPBF MOSFET π-CH υψηλής δύναμης Si 20V 3.7A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

Mosfet Π CH IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET ν-CH υψηλής δύναμης Si 30V 1.2A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

MOSFET Ν δύναμης Infineon IRFP4368PbF σωλήνας καρφιτσών -247AC Si 75V 350A 3 καναλιών

1 2 3 4 5

MOSFET υψηλής δύναμης

(2119)

MOSFET NTBL095N65S3H υψηλής δύναμης N-CHANNEL, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 30 Α, 95 MΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL095N65S3H υψηλής δύναμης N-Channel, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 30 Α, 95 mΩ, ΦΌΡΟΣ [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώλ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:10

MOSFET NTBL082N65S3HF υψηλής δύναμης N-CHANNEL, SUPERFET® ΙΙΙ, FRFET®, 650 Β, 40 Α, 82 MΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL082N65S3HF υψηλής δύναμης N-Channel, SUPERFET® ΙΙΙ, FRFET®, 650 Β, 40 Α, 82 mΩ, ΦΌΡΟΣ [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώλ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:10

MOSFET NTBL070N65S3 υψηλής δύναμης N-Channel, SUPERFET® ΙΙΙ, εύκολο Drive, 650 Β, 44 Α, 70 mΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL070N65S3 υψηλής δύναμης N-Channel, SUPERFET® ΙΙΙ, εύκολο Drive, 650 Β, 44 Α, 70 mΩ, ΦΌΡΟΣ [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:10

MOSFET NTBL050N65S3H υψηλής δύναμης ΚΑΝΆΛΙ Ν ‐, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 49 Α, 50 MΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL050N65S3H Ν ‐ υψηλής δύναμης κανάλι, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 49 Α, 50 mΩ, ΦΌΡΟΣ [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

MOSFET NTBGS6D5N15MC υψηλής δύναμης 150 Β, 6,5 mΩ, Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS6D5N15MC 150 Β, 6,5 mΩ, Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 υψηλής δύναμης [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικών σ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

MOSFET NTBGS4D1N15MC υψηλής δύναμης ενιαίο Ν κανάλι D2PAK7 150V 4.1mΩ 185A
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS4D1N15MC 150V 4.1mΩ 185A ενιαίο Ν υψηλής δύναμης κανάλι D2PAK7 [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικών συστα... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

MOSFET NTBGS3D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 3,7 mΩ; , 127A, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS3D5N06C 60 Β, 3,7 mΩ υψηλής δύναμης; , 127A, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικώ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

MOSFET NTBGS2D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 2,5 mΩ; , 224 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS2D5N06C 60 Β, 2,5 mΩ υψηλής δύναμης; , 224 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

MOSFET NTBGS1D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 1,62 μ; , 267 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS1D5N06C 60 Β, 1,62 μ υψηλής δύναμης; , 267 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλεκτρονικ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

MOSFET NTBGS004N10G υψηλής δύναμης 203 Amps, 100 N-Channel βολτ αυξήσεων - τρόπος D2PAK 7L
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS004N10G 203 Amps, 100 N-Channel βολτ υψηλής δύναμης αυξήσεων - τρόπος D2PAK 7L [CWho είμαστε;] Η Co. ΕΠΕ ηλεκτρονικής ηλιαχτίδων (Χονγκ Κονγκ) είναι εστίαση στην πρόσβαση ημιαγωγών και την πώληση ηλ... Διαβάστε περισσότερα Καλύτερη τιμή

2022-05-30 21:37:09

Page 114 of 212|< << 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 >> >|

Περίπου εμείς

Περίπου εμείς

Γύρος εργοστασίων

Ποιοτικός έλεγχος

Ολοκληρωμένο κύκλωμα SMD

CC2541F256RHAR ολοκληρωμένο κύκλωμα TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN πομποδεκτών Tj RF

Atmega328p-Au οκτάμπιτος AVR RISC 32KB δίσκος 32-καρφιτσών TQFP λάμψης 2.5V/3.3V/5V ΜΙΚΡΟΤΣΊΠ MCU

TPS92662AQPHPRQ1 η επιφάνεια οδηγών των υψηλών οδηγήσεων φωτεινότητας Tj τοποθετεί την καρφίτσα 48

Αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης

24LC256T-E/SN η αποθήκευση στοιχείων αστραπιαίας σκέψης EEPROM I2C 256K δάγκωσε 8 την καρφίτσα SOIC Ν T/R

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F λάμψη NAND ΜΙΚΡΟΥ με κινητό LPDDR2 162 σφαίρα MCP

M24M01-RMN6TP 1M-κομμάτι τμηματικός-I2C Stmicro EEPROM αποθήκευσης στοιχείων αστραπιαίας σκέψης

Μονάδα MCU μικροελεγκτών

STM8S003F3P6TR μονάδα οκτάμπιτη STM8 3.3V/5V 20-καρφίτσα TSSOP T/R μικροελεγκτών του ST MCU

MSP430G2211IPW14R μονάδα δεκαεξάμπιτη MSP430 2.5V/3.3V 14-καρφίτσα TSSOP T/R μικροελεγκτών Tj MCU

STM32F030CCT6 μονάδα τριανταδυάμπιτη λάμψη μικροελεγκτών του ST φλοιών M0 RISC 256KB ΒΡΑΧΙΌΝΩΝ MCU

Μας ελάτε σε επαφή με

Μας ελάτε σε επαφή με

Ζητήστε ένα απόσπασμα

E-Mail

Sitemap

Mobile Site

MOSFET υψηλής δύναμης

ITS4200SSJDXUMA1 ολοκληρωμένα κυκλώματα SW 1 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων σε 1 ΈΞΩ 6V στην 8-καρφίτσα DSO T/R 52V 1.2A

IRLML6402TRPBF MOSFET π-CH υψηλής δύναμης Si 20V 3.7A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

Mosfet Π CH IRLML6401TRPBF Infineon Si 12V 4.3A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

IRLML2803TRPBF MOSFET ν-CH υψηλής δύναμης Si 30V 1.2A 3 καρφίτσα μέθυσος-23 T/R

MOSFET Ν δύναμης Infineon IRFP4368PbF σωλήνας καρφιτσών -247AC Si 75V 350A 3 καναλιών

MOSFET υψηλής δύναμης

MOSFET NTBL095N65S3H υψηλής δύναμης N-CHANNEL, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 30 Α, 95 MΩ, ΦΌΡΟΣ Επικοινωνία

MOSFET NTBL082N65S3HF υψηλής δύναμης N-CHANNEL, SUPERFET® ΙΙΙ, FRFET®, 650 Β, 40 Α, 82 MΩ, ΦΌΡΟΣ Επικοινωνία

MOSFET NTBL070N65S3 υψηλής δύναμης N-Channel, SUPERFET® ΙΙΙ, εύκολο Drive, 650 Β, 44 Α, 70 mΩ, ΦΌΡΟΣ Επικοινωνία

MOSFET NTBL050N65S3H υψηλής δύναμης ΚΑΝΆΛΙ Ν ‐, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 49 Α, 50 MΩ, ΦΌΡΟΣ Επικοινωνία

MOSFET NTBGS6D5N15MC υψηλής δύναμης 150 Β, 6,5 mΩ, Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 Επικοινωνία

MOSFET NTBGS4D1N15MC υψηλής δύναμης ενιαίο Ν κανάλι D2PAK7 150V 4.1mΩ 185A Επικοινωνία

MOSFET NTBGS3D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 3,7 mΩ; , 127A, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 Επικοινωνία

MOSFET NTBGS2D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 2,5 mΩ; , 224 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 Επικοινωνία

MOSFET NTBGS1D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 1,62 μ; , 267 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7 Επικοινωνία

MOSFET NTBGS004N10G υψηλής δύναμης 203 Amps, 100 N-Channel βολτ αυξήσεων - τρόπος D2PAK 7L Επικοινωνία

MOSFET NTBL095N65S3H υψηλής δύναμης N-CHANNEL, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 30 Α, 95 MΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL082N65S3HF υψηλής δύναμης N-CHANNEL, SUPERFET® ΙΙΙ, FRFET®, 650 Β, 40 Α, 82 MΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL070N65S3 υψηλής δύναμης N-Channel, SUPERFET® ΙΙΙ, εύκολο Drive, 650 Β, 44 Α, 70 mΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBL050N65S3H υψηλής δύναμης ΚΑΝΆΛΙ Ν ‐, SUPERFET® ΙΙΙ, ΓΡΉΓΟΡΟ, 650 Β, 49 Α, 50 MΩ, ΦΌΡΟΣ
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS6D5N15MC υψηλής δύναμης 150 Β, 6,5 mΩ, Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS4D1N15MC υψηλής δύναμης ενιαίο Ν κανάλι D2PAK7 150V 4.1mΩ 185A
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS3D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 3,7 mΩ; , 127A, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS2D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 2,5 mΩ; , 224 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS1D5N06C υψηλής δύναμης 60 Β, 1,62 μ; , 267 Α, ενιαίο N−Channel, D2PAK7
Επικοινωνία

MOSFET NTBGS004N10G υψηλής δύναμης 203 Amps, 100 N-Channel βολτ αυξήσεων - τρόπος D2PAK 7L
Επικοινωνία